Censées l’entraver, les sanctions contre la Chine en matièrematière de fourniture de processeurs américains n’ont pas vraiment eu l’effet escompté. Tout comme le bannissement de l’utilisation de versions commerciales d’Android a eu pour conséquence l’arrivée d’HarmonyOS, le système d’exploitation fait maison d’Huawei, le pays a su développer ses propres puces pour ne plus compter sur les grandes marques américaines.
Elle a même décidé d’interdire l’utilisation de processeurs IntelIntel et AMD dans les ordinateurs et serveurs gouvernementaux. Elle est également parvenue à produire des processeurs plus performants que ceux de Nvidia pour ses IAIA souveraines.
Forte de cette montée en puissance, la Chine pourrait aller bien plus loin en révolutionnant l’industrie informatique avec une technologie de processeurs inédite. L’Université de Pékin vient de mettre au point une nouvelle architecture de transistor bidimensionnel avec des puces totalement dénuées de siliciumsilicium et c’est une première !
Cette technologie contourne les obstacles
La puce serait la plus puissante, la plus efficace et économe en énergieénergie du monde selon son équipe de développement. Alors que les puces en silicium plafonnent autour de trois nanomètresnanomètres en raison de limites physiquesphysiques, le transistor bidimensionnel chinois s’affranchit de ces contraintes.
Plutôt que du silicium, l’équipe de l’Université de Pékin a conçu sa puce en utilisant de l’oxyséléniure de bismuth (Bi₂O₂Se) pour le canal et de l’oxyde de sélénite de bismuth (Bi₂SeO₅) comme matériaumatériau de grille. Ces matériaux forment des semi-conducteurssemi-conducteurs bidimensionnels : des feuilles d’une finesse atomique aux propriétés électriques exceptionnelles.
Ainsi, l’oxyséléniure de bismuthbismuth dispose d’un atout que le silicium ne peut générer que lorsqu’il est très fin : une haute vitessevitesse de transittransit des électronsélectrons. Il est également capable de retenir et de contrôler la charge d’énergie plus efficacement. In fine, la commutation est plus rapide, il n’y a pas de risque de surchauffe et les pertes d’énergie sont minimisées.
Le nouveau transistor utilise une structure à effet de champ à grille périphérique (GAAFET). Ce n’est pas une nouveauté et c’est utilisé pour les puces au silicium en dessous des cinq nanomètres. Au lieu de la structure verticale classique des canaux de type FinFET (Fin Field Effect Transistor), les canaux sont positionnés de façon horizontale, comme dans les deux derniers exemples de cette illustration. © Samsung
Une intégration dans l’électronique existante fonctionnelle
Selon l’un des chercheurs, les électrons circulent sans résistancerésistance, un peu « comme de l’eau coulant dans un tuyau lisse ». En bonus, comme l’interface entre les deux matériaux est plus lisse, il y a moins de défauts et de bruit électrique. Pour ce qui est des résultats relevés par l’équipe, la puce fonctionnerait 40 % plus rapidement que les architectures en silicium les plus avancées à trois nanomètres. La consommation serait de 10 % inférieure.
Malgré ces performances de laboratoire, la question de la production à grande échelle demeure, ainsi que son intégration dans des circuits électroniques. L’équipe de chercheurs a déjà pu exploiter la puce dans des prototypes d’appareils et elle a prouvé sa parfaite intégration dans des circuits existants.
Cette étape montre qu’il n’y a pas vraiment d’obstacles à une production de massemasse. D’ailleurs, les chercheurs sont optimistes et planchent déjà sur les processus de fabrication à une échelle industrielle. Alors évidemment, comme toute avancée scientifique, la commercialisation réelle de ces puces pourrait prendre plusieurs années. Reste qu’avec cette innovation, la Chine cherche encore une fois à réduire sa dépendance aux États-Unis et montre qu’il est possible d’aller au-delà de ce qui est fait depuis des décennies avec le silicium.